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Referencia del fabricante:MZ-V9S2T0BW ATENCION. El envío se realiza directamente por agencia desde nuestra central. Puede tardar varios dias en ser enviado, dependiendo de la disponibilidad. Para recogida en tienda consultar. No se realizan envíos contrareembolso.
Articulo disponible a partir del 04/11/2024 Descripción: Sin información
Marca
Samsung
Modelo
MZ-V9S2T0BW
Capacidad
- 2TB
Interfaz
- PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño
- M.2 (2280)
Rendimiento
- Lectura secuencial: hasta 7250 MB/s
- Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.000.000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPS
Características
- Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host)
- Soporte TRIM
- Soporte S.M.A.R.T
- GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura
- SOPORTE DE CIFRADO
Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal
IEEE1667 (unidad cifrada)
- Soporte WWN
- Soporte del modo de suspensión del dispositivo
Alimentación
- Consumo medio de energía (Nivel de sistema):
Promedio: Lectura 4,6 W / Escritura 4,2 W
- Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW
- Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico
- Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida
- Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF)
- Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento